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HMS40N65T中文资料高压超结MOS数据手册HmpowerSemi规格书

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厂商型号

HMS40N65T

功能描述

高压超结MOS

制造商

HmpowerSemi Shenzhen Hongmei Power Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

虹美功率

数据手册

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更新时间

2026-9-26 17:02:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HMS40N65T

  • 生产厂家

    :HmpowerSemi

  • 封装(Package)

    :TO-247

  • 沟道(Polarity)

    :N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V)

    :650.00V

  • ID(Max)ID(A)

    :40.00A

  • IDM

    :120.00A

  • VTH(Typ)

    :3.00V

  • VGS

    :20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)

    :68.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible)

    :IPP65R080C6/IPA65R080C6/IPP65R080E6/IPA65R080E6/多层外延工艺,抗冲击性强

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