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HMS40N65T	文件：958.9 Kbytes Page：7 Pages	650V N-Channel super junction MOSFET 文件：958.9 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HMS40N65T	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压超结MOS	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
KGF40N65KDC	文件：1.50859 Mbytes Page：8 Pages	SEMICONDUCTOR 文件：1.50859 Mbytes 页数：8 Pages	KEC KEC(Korea Electronics)	KEC
MIW40N65RA	文件：1.57301 Mbytes Page：10 Pages	Trench and Field Stop IGBT 650V 40A Features • Low switching losses • Maximum junction temperature 175°C • Positive temperature coefficient • High ruggedness, temperature stable • High short circuit capability(5μs) • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Com 文件：1.57301 Mbytes 页数：10 Pages	MCC	MCC
MIW40N65RA-BP	文件：1.57301 Mbytes Page：10 Pages	Trench and Field Stop IGBT 650V 40A Features • Low switching losses • Maximum junction temperature 175°C • Positive temperature coefficient • High ruggedness, temperature stable • High short circuit capability(5μs) • Halogen Free. “Green” Device (Note 1) • Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating • Lead Free Finish/RoHS Com 文件：1.57301 Mbytes 页数：10 Pages	MCC	MCC

封装（Package）：
TO-247
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
650.00V
ID(Max)ID(A)：
40.00A
IDM：
120.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
68.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
IPP65R080C6/IPA65R080C6/IPP65R080E6/IPA65R080E6/多层外延工艺，抗冲击性强

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