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HMS38N60T	文件：600.95 Kbytes Page：6 Pages	Marking：HMS38N60T；Package：TO-247；N-Channel Super Junction Power MOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
IRFPS38N60L	文件：175.49 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity Applications	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS38N60L	文件：190.7 Kbytes Page：9 Pages	LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •ComplianttoRoHSDirec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFPS38N60LPBF	文件：200.08 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFPS38N60LPBF.	文件：175.49 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET FeaturesandBenefits ●SuperFastbodydiodeeliminatestheneedforexternaldiodesinZVSapplications ●LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ●EnhanceddV/dtcapabilitiesofferimprovedruggedness ●HigherGatevoltagethresholdoffersimprovednoiseimmunity Applications	IRF International Rectifier	IRF
IXGH38N60	文件：45.63 Kbytes Page：2 Pages	Ultra-LowVCE(sat)IGBT	IXYS IXYS Corporation	IXYS
SiHFPS38N60L	文件：190.7 Kbytes Page：9 Pages	LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements FEATURES •SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedforExternalDiodesinZVSApplications •LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements •EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness •HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity •ComplianttoRoHSDirec	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP38N60E	文件：143.35 Kbytes Page：7 Pages	Reducedswitchingandconductionlosses	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHP38N60EF	文件：149.78 Kbytes Page：9 Pages	EFSeriesPowerMOSFETWithFastBodyDiode FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
STE38N60	文件：263.91 Kbytes Page：8 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORINISOTOPPACKAGE HIGHCURRENTPOWERMODULE ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY (SEESTH12N60FORRATING) ■VERYLARGESOA-LARGEPEAKPOWER CAPABILITY ■EASYTOMOUNT ■SAMECURRENTCAPABILITYFORTHE TWOSOURCETERMINALS ■EXTREMELYLOWRthJUNCTIONTOCASE ■VERYLOWDRAINTOCASECAPACITANCE ■VERYLOWINT	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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