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HMC757LP4ETR

Package:24-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ 24SMT

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亚德诺

HMC757LP4E

Active Bias Controller High Current

文件:1.19059 Mbytes 页数:22 Pages

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亚德诺

HMC757LP4E

GaAs pHEMT MMIC WATT POWER AMPLIFIER, 16 - 24 GHz

General Description The HmC757lp4e is a three stage GaAs pHemT mmiC 1 watt power Amplifier which operates between 16 and 24 GHz. The HmC757lp4e provides 20.5 dB of gain, and 27.5 dBm of saturated output power and 21 pAe from a +5V supply. The rf i/os are DC blocked and matched to 50 ohms. The 4x4

文件:993.38 Kbytes 页数:8 Pages

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HMC7748

HML-6

ADI(亚德诺)

HMC784MS8GE

MSOP8

Analog Devices Inc

上传:深圳德田科技有限公司

Analog Devices Inc

产品属性

  • 产品编号:

    HMC757LP4ETR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 频率:

    16GHz ~ 24GHz

  • P1dB:

    26.5dBm

  • 增益:

    20.5dB

  • 射频类型:

    VSAT

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    400mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ 24SMT

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更多HMC757LP4ETR供应商 更新时间2025-11-29 14:32:00