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HMC757LP4ETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ 24SMT	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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HMC757LP4ETR

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ 24SMT

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC757LP4E

文件：1.19059 Mbytes

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC757LP4E

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GaAspHEMTMMICWATTPOWERAMPLIFIER,16-24GHz

GeneralDescription TheHmC757lp4eisathreestageGaAspHemTmmiC1wattpowerAmplifierwhichoperatesbetween16and24GHz.TheHmC757lp4eprovides20.5dBofgain,and27.5dBmofsaturatedoutputpowerand21pAefroma+5Vsupply.Therfi/osareDCblockedandmatchedto50ohms.The4x4

Hittite

Hittite Microwave Corporation

Hittite

产品属性

产品编号：
HMC757LP4ETR
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
16GHz ~ 24GHz
P1dB：
26.5dBm
增益：
20.5dB
射频类型：
VSAT
电压 - 供电：
5V
电流 - 供电：
400mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
24-QFN（4x4）
描述：
IC RF AMP VSAT 16GHZ-24GHZ 24SMT

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