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HMC716LP3E	文件：1.0359 Mbytes Page：10 Pages	GaAs PHEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 3.1 - 3.9 GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HMC716LP3E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：16-VFQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 3.1GHZ-3.9GHZ 16QFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC716LP3ETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：16-VFQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP GP 3.1GHZ-3.9GHZ 16QFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
716LP3E	文件：1.0359 Mbytes Page：10 Pages	GaAsPHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER,3.1-3.9GHz	Hittite HITTITE	Hittite
HMC716LP3	文件：1.0359 Mbytes Page：10 Pages	GaAsPHEMTMMICLOWNOISEAMPLIFIER,3.1-3.9GHz	Hittite HITTITE	Hittite

产品属性

产品编号：
HMC716LP3E
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
卷带（TR）
频率：
3.1GHz ~ 3.9GHz
P1dB：
19dBm
增益：
18dB
噪声系数：
1dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
3V，5V
电流 - 供电：
65mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
描述：
IC RF AMP GP 3.1GHZ-3.9GHZ 16QFN

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