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HMC669LP3E中文资料PDF规格书

HMC669LP3E
厂商型号

HMC669LP3E

参数属性

HMC669LP3E 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN

功能描述

GaAs PHEMT MMIC LNA w/ FAILSAFE BYPASS MODE, 1700 - 2200 MHz

文件大小

1.046359 Mbytes

页面数量

10

生产厂商 HITTITE
企业简称

Hittite

中文名称

HITTITE官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-4-30 18:26:00

产品属性

  • 产品编号:

    HMC669LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    1.7GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    12dBm

  • 增益:

    17dB

  • 噪声系数:

    1.4dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    3V,5V

  • 电流 - 供电:

    86mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 1.7GHZ-2.2GHZ 16QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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