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HMC618LP3E

GaAs SMT PHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.7 - 2.2 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC618LP3E

GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER, 1.2 - 2.2 GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC618LP3E

GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC618LP3E

Package:16-VFQFN 裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16QFN

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

618LP3E

GaAsSMTpHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,1.2-2.2GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

618LP3E

GaAsSMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,1.7-2.2GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC618LP3

GaAsSMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,1.7-2.2GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

HMC618LP3

GaAsSMTpHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,1.2-2.2GHz

Hittite

Hittite Microwave Corporation

产品属性

  • 产品编号:

    HMC618LP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    1.2GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    20dBm

  • 增益:

    19dB

  • 噪声系数:

    0.75dB

  • 射频类型:

    LTE,WiMax

  • 电压 - 供电:

    3V,5V

  • 电流 - 供电:

    89mA

  • 测试频率:

    1.7GHz ~ 2GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16QFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多HMC618LP3E供应商 更新时间2025-7-23 9:12:00