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HMC618ALP3E	文件：865.9 Kbytes Page：14 Pages	GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER 文件：865.9 Kbytes 页数：14 Pages	AD 亚德诺	AD
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HMC618ALP3E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT	AD 亚德诺	AD
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产品属性

产品编号：
HMC618ALP3E
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
1.2GHz ~ 2.2GHz
P1dB：
20dBm
增益：
23dB
噪声系数：
0.85dB
射频类型：
LTE，WiMax
电压 - 供电：
3V ~ 5V
电流 - 供电：
118mA
测试频率：
2.2GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
描述：
IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT

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