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HMC618ALP3ERF/IF射频/中频RFID射频放大器规格书PDF中文资料

HMC618ALP3E
厂商型号

HMC618ALP3E

参数属性

HMC618ALP3E 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器;产品描述:IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT

功能描述

GaAs SMT pHEMT LOW NOISE AMPLIFIER
IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT

文件大小

865.9 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Analog Devices
企业简称

AD亚德诺

中文名称

亚德诺半导体技术有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-30 22:30:00

HMC618ALP3E规格书详情

HMC618ALP3E属于RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器。亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC618ALP3E射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

产品属性

  • 产品编号:

    HMC618ALP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    1.2GHz ~ 2.2GHz

  • P1dB:

    20dBm

  • 增益:

    23dB

  • 噪声系数:

    0.85dB

  • 射频类型:

    LTE,WiMax

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 5V

  • 电流 - 供电:

    118mA

  • 测试频率:

    2.2GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    16-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC AMP LTE 1.2GHZ-2.2GHZ 16SMT

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