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HMC435MS8G数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF
| 厂商型号 |
HMC435MS8G |
| 参数属性 | HMC435MS8G 封装/外壳为8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关；产品描述：IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP |
| 功能描述 | SPDT NON-REFLECTIVE SWITCH, DC - 4.0 GHz |
| 封装外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-14 11:28:00 |
| 人工找货 | HMC435MS8G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC435MS8G规格书详情
简介
HMC435MS8G属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC435MS8G射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC435MS8GE
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 射频类型：
通用
- 拓扑：
吸收
- 电路：
SPDT
- 频率范围：
0Hz ~ 4GHz
- 隔离：
35dB
- 插损：
1.5dB
- 测试频率：
4GHz
- P1dB：
31dBm
- IIP3：
45dBm
- 阻抗：
50 欧姆
- 电压 - 供电：
5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-MSOP-EP
- 描述：
IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 8MSOP
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