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HMC424ALP3E中文资料0.1 GHz至13.0 GHz、0.5 dB LSB、6位、GaAs数字衰减器数据手册ADI规格书

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厂商型号

HMC424ALP3E

参数属性

HMC424ALP3E 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的衰减器;产品描述:RF ATTENUATOR 31.5DB 16VFQFN

功能描述

0.1 GHz至13.0 GHz、0.5 dB LSB、6位、GaAs数字衰减器
RF ATTENUATOR 31.5DB 16VFQFN

封装外壳

16-VFQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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HMC424ALP3E规格书详情

描述 Description

HMC424ALP3E是一款宽带、6位、砷化镓(GaAs)、数字衰减器,采用低成本、无引脚表贴封装,以0.5 dB步长提供31.5 dB的衰减控制范围。

HMC424ALP3E在0.1 GHz至13.0 GHz的指定频率范围内具有出色的衰减精度(±0.2 dB + 4%的衰减状态)和高输入线性度,典型插入损耗小于4 dB。衰减器位值为0.5 dB (LSB)、1 dB、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB,总衰减为31.5 dB,典型步长误差为±0.5 dB。

该器件允许用户通过在0 V至VEE之间切换的六个并行控制输入对衰减状态进行编程设定。

HMC424ALP3E采用−3 V至−5 V单个负电源供电,需要外部电平转换器以便连接CMOS/晶体管对晶体管逻辑(TTL)接口。

HMC424ALP3E采用符合RoHS标准的紧凑型、3 mm × 3 mm、16引脚引脚架构芯片级封装(LFCSP)。

应用



蜂窝基础设施 微波无线电和甚小孔径终端(VSAT) 测试设备和传感器 中频(IF)和RF设计 军事与太空  

特性 Features

• 衰减范围:0.5 dB (LSB)步进至31.5 dB
• 步长误差:±0.5 dB(典型值)

• 低插入损耗:2.8 dB(4 GHz时)
• VEE = −3 V 时具有高线性度
• 输入P0.1dB:22 dBm(典型值)
• 输入IP3:45 dBm(典型值)

• 高RF输入功率处理:25 dBm(最大值)
• 低相对相位:30°(典型值,6.0 GHz)
• 单电源供电:−3 V至−5 V
• 16引脚、3 mm × 3 mm LFCSP封装

应用 Application

• 基站基础设施
• 光纤和宽带通信
• 微波和VSAT无线电
• 军事和太空
• 测试仪器仪表

简介

HMC424ALP3E属于RF/IF射频/中频RFID的衰减器。由制造生产的HMC424ALP3E衰减器衰减器旨在降低信号功率,同时尽量减少其对波形的影响。衰减值的范围为 0 dB 至 69 dB,频率范围为 0 至 86 GHz。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC424ALP3E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 衰减器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 衰减值:

    31.5dB

  • 封装/外壳:

    16-VFQFN 裸露焊盘

  • 描述:

    RF ATTENUATOR 31.5DB 16VFQFN

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