2.9 GHz整数N分频频率合成器(N = 2 - 32)

HMC4069LP4E是一款整数N分频频率合成器，将10至1300MHz的数字鉴频鉴相器与10至2900MHz 5位频率计数器组合在一起。它适合低相位噪声频率合成器应用。\n\n 该器件将高工作频率和超低相位噪底结合在一起，能够提供具有很宽环路带宽的合成器和低分频数，从而实现快速开关和极低相位噪声。与差分环路放大器结合使用时，HMC4069LP4E可以生成输出电压，用于锁相VCO为参考振荡器。\n\n 该器件采用24引脚、4 x 4mm无引脚QFN表面贴装封装，带有裸露接地焊盘以改善RF和散热性能。\n\n应用\n\n 点对点无线电 卫星通信系统 军事应用 • 超低SSB相位噪底： -151dBc/Hz（10kHz偏置时，100MHz）\n\n• 集成输出电阻\n\n• 改善输入灵敏度\n\n• 锁定检测和反相功能\n\n• 24引脚4 x 4mm SMT封装;

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2.9 GHz INTEGER-N SYNTHESIZER

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Package：24-VFQFN 裸露焊盘；包装：托盘 类别：集成电路（IC） 时钟发生器，PLL，频率合成器 描述：IC PLL FRACTIONAL-N VCO

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits •

文件：432.4 Kbytes 页数：11 Pages

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low Switching Losses • Maximum Junction Temperature 175 °C • 5 μS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of The Parts Tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature Coefficient • Tight Parameter Distribution • Lead Free Package Benefits •

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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