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HMC3653LP3BERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

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厂商型号

HMC3653LP3BE

参数属性

HMC3653LP3BE 封装/外壳为12-VFQFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 7GHZ-15GHZ 12QFN

功能描述

HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER
IC RF AMP GP 7GHZ-15GHZ 12QFN

封装外壳

12-VFQFN 裸露焊盘

文件大小

521.32 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

AD

中文名称

亚德诺

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更新时间

2025-12-1 11:48:00

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HMC3653LP3BE规格书详情

HMC3653LP3BE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC3653LP3BE射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    HMC3653LP3BE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    7GHz ~ 15GHz

  • P1dB:

    15dBm

  • 增益:

    15dB

  • 噪声系数:

    4dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 电流 - 供电:

    40mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    12-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-QFN(3x3)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 7GHZ-15GHZ 12QFN

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