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HMC363S8G

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件:233.69 Kbytes 页数:6 Pages

HITTITE

HMC363S8G_06

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12.0 GHz

文件:358.85 Kbytes 页数:6 Pages

HITTITE

HMC363S8G_09

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件:233.69 Kbytes 页数:6 Pages

HITTITE

HMC363S8GE

SMT GaAs HBT MMIC DIVIDE-BY-8, DC - 12 GHz

文件:233.69 Kbytes 页数:6 Pages

HITTITE

HMC363-Die

InGaP HBT 8分频芯片,DC - 12 GHz

HMC363是低噪声的8分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,拥有1.45 x 0.69 mm的小巧尺寸。此器件在DC(使用方波输入)至12 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 • 超低SSB相位噪声: -153 dBc/Hz \n\n• 宽带宽 \n\n• 输出功率: -6 dBm;

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亚德诺

HMC363G8

InGaP HBT 8分频密封型SMT封装,DC - 12 GHz

HMC363G8是一款低噪声8分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚密封型表贴玻璃/金属封装。 此器件在DC(使用方波输入)至12 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-153 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 • 超低SSB相位噪声:\n-153 dBc/Hz\n\n• 宽带宽;

ADI

亚德诺

HMC363S8G

SMT GaAs HBT MMIC 8分频,DC - 12 GHz

HMC363S8G和HMC363S8GE均为低噪声8分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚表贴塑料封装。此器件在DC(使用方波输入)至12 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。100 kHz偏置时的低加性SS B相位噪声为-153 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 • 超低SSB相位噪声: -153 dBc/Hz \n\n• 宽带宽;

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亚德诺

HMC363S8G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:托盘 功能:预定标器 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述:IC FREQ DIVIDER DC-12GHZ 8SMD

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亚德诺

HMC363S8G

Package:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:带 功能:预定标器 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述:IC FREQ DIVIDER DC-12GHZ 8SMD

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亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    HMC363

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > RF 其它 IC 和模块

  • 包装:

  • 功能:

    除以 8

  • 频率:

    0Hz ~ 12GHz

  • 射频类型:

    VSAT

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    模具

  • 供应商器件封装:

    模具

  • 描述:

    IC FREQ DIVID DC-10GHZ DIE

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更多HMC363供应商 更新时间2026-1-21 14:52:00