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IRF240	文件：211.06 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF240	文件：19.38 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETFORHI.RELAPPLICATIONS	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF240	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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IRF240	文件：48.28 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION ·DrainCurrentID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies ·Switchingconverters,motordriver,relaydriver ·Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF240	文件：101.73 Kbytes Page：2 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE PartNumberBVDSSRDS(on)ID IRF240200V0.18Ω18A TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-sta	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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IRF240	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
HMC240A
制造商：
HITTITE
制造商全称：
Hittite Microwave Corporation
功能描述：
GaAs MMIC SPDT SWITCH DC - 4 GHz

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