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IRF240	文件：140.72 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs,18A,150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF240	文件：149.25 Kbytes Page：7 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED PartNumberBVDSSRDS(on)ID IRF240200V0.18Ω18A TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateres	IRF International Rectifier	IRF
IRF240	文件：111.97 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF240	文件：59.29 Kbytes Page：7 Pages	18A,200V,0.180Ohm,N-ChannelPowerMOSFET	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF240	文件：48.28 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance DESCRIPTION ·DrainCurrentID=18A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-:VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.18Ω(Max) APPLICATIONS ·Switchingpowersupplies ·Switchingconverters,motordriver,relaydriver ·Audioamplifierandservomotors	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF240	文件：101.73 Kbytes Page：2 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE PartNumberBVDSSRDS(on)ID IRF240200V0.18Ω18A TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-sta	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF240	文件：150.3 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRF International Rectifier	IRF
IRF240	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF240R	文件：168.9 Kbytes Page：2 Pages	AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs AvalancheEnergyRatedN-ChannelPowerMOSFETs TheIRF240R,IRF241R,IRF242RandIRF243RareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.Thesearen-channelenhancement-modesilicon-gatepowerfield	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF240SMD	文件：22.63 Kbytes Page：2 Pages	N.CHANNELPOWERMOSFET	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

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产品属性

产品编号：
HMC240A-SX
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
包装：
散装
射频类型：
VSAT
拓扑：
反射
电路：
SPDT
P1dB：
29dBm（标准）IP1dB
IIP3：
45dBm（标准）
阻抗：
50 欧姆
电压 - 供电：
5V
工作温度：
-55°C ~ 85°C
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF SWITCH SPDT 4GHZ DIE 1=2PC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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