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IL221AT	文件：54.89 Kbytes Page：3 Pages	PHOTODARLINGTONSMALLOUTLINESURFACEMOUNTOPTOCOUPLER DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransferratio(CTR)optocouplerwithaGalliumArsenideinfraredLEDemitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistordetector. ThisdevicehasaCTRtestedatan1mALEDcurrent.Thislowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfrom	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
IL221AT	文件：127.48 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransferratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLEDemitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistordetector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.ThislowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfromC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IL221AT	文件：119.66 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IL221AT	文件：119.97 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF221	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF221	文件：68.86 Kbytes Page：7 Pages	4.0Aand5.0A,150Vand200V,0.8and1.2Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF221	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF221	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
HMC221E
制造商：
HITTITE
制造商全称：
Hittite Microwave Corporation
功能描述：
GaAs MMIC SOT26 SPDT SWITCH, DC - 3 GHz

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