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IL221AT	文件：119.97 Kbytes Page：7 Pages	Optocoupler,PhotodarlingtonOutput,LowInputCurrent,HighGain,withBaseConnection DESCRIPTION TheIL221AT/IL222AT/IL223ATisahighcurrenttransfer ratio(CTR)optocouplerwithagalliumarsenideinfraredLED emitterandasiliconNPNphotodarlingtontransistor detector. ThedevicehasaCTRtestedat1.0mALEDcurrent.This lowdrivecurrentpermitseasyinterfacingfr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF221	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF221	文件：68.86 Kbytes Page：7 Pages	4.0Aand5.0A,150Vand200V,0.8and1.2Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF221	文件：165.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,7A,150-200V N-ChannelPowerMOSFETs7A150-200V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF221	文件：48.21 Kbytes Page：2 Pages	HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF221	文件：154.1 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMosfets	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF221	文件：135.19 Kbytes Page：3 Pages	NanosecondSwitchingSpeeds Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IS221	文件：35.11 Kbytes Page：3 Pages	OPTICALLYCOUPLEDBILATERALSWITCHLIGHTACTIVATEDZEROVOLTAGECROSSINGTRIAC	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
JS-221	文件：231.14 Kbytes Page：7 Pages	InteractiveCatalogReplacesCatalogPages	HONEYWELL-ACCHoneywell Accelerometers 霍尼韦尔霍尼韦尔国际有限公司	HONEYWELL-ACC
JS-221	文件：231.14 Kbytes Page：7 Pages	InteractiveCatalogReplacesCatalogPages	HoneywellHoneywell Solid State Electronics Center 霍尼韦尔霍尼韦尔国际	Honeywell

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产品属性

产品编号：
HMC221BE
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
包装：
托盘
射频类型：
通用
电路：
SPDT
频率范围：
10kHz ~ 3GHz
隔离：
18dB
插损：
0.8dB
测试频率：
3GHz
P1dB：
29dBm
IIP3：
54dBm
阻抗：
50 欧姆
电压 - 供电：
5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C
封装/外壳：
SOT-23-6
供应商器件封装：
SOT-23-6
描述：
IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SOT23-6

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