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INA220AIDGST	文件：1.1286 Mbytes Page：36 Pages	High-orLow-Side,BidirectionalCurrentandPowerMonitor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA220B	文件：1.25269 Mbytes Page：39 Pages	HighorLowSide,Bi-DirectionalCURRENT/POWERMONITORwithTwo-WireInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA220BIDGSR	文件：1.25269 Mbytes Page：39 Pages	HighorLowSide,Bi-DirectionalCURRENT/POWERMONITORwithTwo-WireInterface	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA220BIDGSR	文件：1.1286 Mbytes Page：36 Pages	High-orLow-Side,BidirectionalCurrentandPowerMonitor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA220BIDGST	文件：1.1286 Mbytes Page：36 Pages	High-orLow-Side,BidirectionalCurrentandPowerMonitor	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IPC-220	文件：926.87 Kbytes Page：2 Pages	CompactIndustrialComputerSystemwith10thGenIntel®Core™iCPUSocket(LGA1200) Features Intel®10thGenCore™iCPUsocket-type(LGA1200)withIntel®Q470E/ H420Echipset 3xindependentdisplays(thirddisplayoutput(DP)viaoptionalcable) 2xGigaLanand6xUSB3.2 2xRS-232/422/485and2xRS232serialports 1xNVMeM.2(Q470EOnly),2x2.5HDD/SSD,a	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPC-220	文件：481.66 Kbytes Page：2 Pages	MachineVisionEdgeSolutionReadyPlatform Features IntuitiveGUIwithoutprogrammingskills Flexiblelicensingoptionsincludingfull,ID,alignment SupportsuptosixGigEvisioncameraswithupto20Mresolutioninmono andbayerformats Supportsconditionaloperator,externalAPIforadvancedapplications	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPC-220	文件：967.82 Kbytes Page：2 Pages	CompactIndustrialComputerSystemwith6th/7thGenIntel®Core™iCPUSocket(LGA1151) Features Intel®6th/7thGenCore™iCPUsocket-type(LGA1151)withIntel®Q170/ H110chipset 3xindependentdisplays(thirddisplayoutput(DP)viaoptionalcable) 2xGigaLanand6xUSB3.0(Q170)/4xUSB3.0(H110) 2xRS-232/422/485and2xRS232serialports 2x2.5HDD/SSD,a	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IRF220	文件：209.79 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRDs	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF220	文件：68.86 Kbytes Page：7 Pages	4.0Aand5.0A,150Vand200V,0.8and1.2Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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