HMC1063数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

描述 Description

HMC1063LP3E是一款紧凑型I/Q MMIC混频器，采用“无铅”SMT封装，可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准Hittite双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs Schottky二极管工艺制造。 低频正交混合器件用于产生1,000 MHz LSB IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC1063LP3E无需线焊，可以使用表贴制造技术。

特性 Features

• 低LO功率： 10 dBm

• 宽IF带宽： DC - 3 GHz

• 镜像抑制： 21 dBc

• LO/RF隔离： 40 dB

简介

HMC1063属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC1063射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。