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NP80N03CLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03CLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03CLE	文件：372.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N03DDE	文件：297.39 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03DDE	文件：219.37 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03DDE	文件：281.85 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NP80N03DLE	文件：224.27 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTORSWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03DLE	文件：96.86 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NP80N03DLE	文件：429.64 Kbytes Page：12 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=26	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP80N03DLE	文件：281.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=9.0mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市汇莱威科技有限公司	HM80N03K	HMSEMI	24+	TO-252	500238	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	HM80N03K	VBSEMI/台湾微碧	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	HM80N03K	VBsemi	23+	TO252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	HM80N03K	HMSEMI	2022+	TO-252	5000	原厂代理终端免费提供样品	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	HM80N03K	H	23+	TO-252	6000	原装正品，支持实单	询价
深圳市威雅利发展有限公司	HM80N03K	VBsemi	21+	TO252	10065	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市创新迹电子有限公司	HM80N03K	HMSEMI	23+	TO-252	6800	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	HM80N03K	VBsemi	24+	TO252	9000	只做原装正品有挂有货假一赔十	询价
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深圳市科恒伟业电子有限公司	HM80N04	HMI	2450+	TO-220	6540	只做原厂原装正品终端客户免费申请样品	询价

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