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MDP7N60TH	文件：983.96 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET600V,7A,1.15(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MDP7N60TH	文件：332.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MGP7N60E	文件：122.09 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistor ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

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MDP7N60TH

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N-ChannelMOSFET600V,7A,1.15(ohm)

MGCHIP

MagnaChip Semiconductor.

MGCHIP

MDP7N60TH

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iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=7A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.15Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

MGP7N60E

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InsulatedGateBipolarTransistor

ThisInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)usesanadvancedterminationschemetoprovideanenhancedandreliablehighvoltage–blockingcapability.Itsnew600VIGBTtechnologyisspecificallysuitedforapplicationsrequiringbothahightemperatureshortcircuitcapabilityandalowVCE(on)

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

Motorola

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深圳市河锋鑫科技有限公司	HM7N60	HMSEMI	2022+	TO-220	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
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更多HM7N60供应商更新时间2025-7-23 14:02:00

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