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HMBT3906

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHMBT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.

HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics

华昕华昕科技有限公司

HN3906

NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications?

SEMTECHSemtech Corporation

升特

HX3906

PNPSILICONTRANSISTOR

APPLICATIONS SmallSignalAmplifier;HighFrequencyoscillator;SwitchingApplications. (complementToH3904)

HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司

HY3906

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HY3906A

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HY3906B

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HY3906P

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

HY3906W

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD.

华羿微电华羿微电子股份有限公司

KMBT3906

PNPTransistors

Features ●ComplementarytoMMBT3904 ●Marking:2A

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信电子广东科信实业有限公司

KN3906

EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING)

GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •LowLeakageCurrent :ICEX=-50nA(Max.),@VCE=-30V,VEB=-3V. •LowSaturationVoltage :VCE(sat)=-0.4V(Max.)@IC=-50mA,IB=-5mA. •ComplementarytoKN3904.

KECKEC CORPORATION

KEC株式会社

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