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CEB170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEF170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
CEP170N10S	文件：516.76 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司
FIR170N10PG	文件：3.11699 Mbytes Page：4 Pages	100VN-ChannelPowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
FIR170N10RG	文件：2.24483 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司
IXFH170N10P	文件：146.64 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiperFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFH170N10P	文件：374.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXFK170N10	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFK170N10P	文件：146.64 Kbytes Page：5 Pages	PolarHiperFETPowerMOSFET Polar™HiperFET™PowerMOSFET N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated FastIntrinsicRectifier Features •InternationalStandardPackages •FastIntrinsicRectifier •AvalancheRated •LowRDS(ON)andQG •LowPackageInductance Advantages •HighPowerDensity •EasytoMount •Spac	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXFN170N10	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	HiPerFETPowerMOSFET HiPerFET™PowerMOSFET SingleMOSFETDie Features •Internationalstandardpackages •EncapsulatingepoxymeetsUL94V-0,flammabilityclassification •miniBLOCwithAluminiumnitrideisolation •LowRDS(on)HDMOSTMprocess •Ruggedpolysilicongatecellstructure •UnclampedInductiveSwi	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTK170N10P	文件：310.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IXTQ170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTT170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Integrated Circuits Division
IXTT170N10P	文件：170.28 Kbytes Page：5 Pages	PolarTMPowerMOSFET	IXYS IXYS Integrated Circuits Division

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
华富测量(深圳)传感技术有限公司	HM1-7160-9	HAR	2138+	DIP	8960	专营军工产品,进口原装	询价
深圳市中亿伟业电子有限公司	HM1734.1	NA	21+	SOP8	344	原包标签.100%进口原装.常备现货!	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HM175	INTEL/英特尔	21+ROHS	BGA	20000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	HM175SR30W	INTEL/英特尔	24+	NA	860000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市星佑电子有限公司	HM1-7602	HARRIS	05+	原厂原装	4306	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	HM1-7602-2	HARRIS		DIP	5		询价
深圳市莱克讯科技有限公司	HM1-7602-2	HARRIS	2017+	DIP	25689	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
上海意淼电子科技有限公司	HM1-7602-2	NS	23+	TO-46	6500	全新原装假一赔十	询价
上海金庆电子技术有限公司	HM1-7602-2	HARRIS	新		12	全新原装货期两周	询价
深圳市赛美科科技有限公司	HM1-7602-2	原厂		NA	8650	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

更多HM170N10P供应商更新时间2024-4-28 19:52:00

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