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HY1607PM	文件：1.17772 Mbytes Page：15 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1607PM	文件：2.35762 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1607PS	文件：1.17772 Mbytes Page：15 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1607PS	文件：2.35762 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1607U	文件：1.09495 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
HY1607V	文件：1.09495 Mbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
IIRF1607	文件：338.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1607	文件：234.11 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=75V,Rds(on)=0.0075ohm,Id=142A?? Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF
IRF1607	文件：338.78 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤7.5mΩ •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF1607PBF	文件：160.22 Kbytes Page：9 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisStripePlanardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesofthisHEXFETpowerMOSFETarea175°Cjunctionoperatingtemp	IRF International Rectifier	IRF

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	HM1-6100/883	INTERSIL	专业铁帽	DIP	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	HM1-6100-2	HAR	23+	CDIP	10000	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	HM1-6100-2	HAR	22+	CDIP	11190	原装正品	询价
深圳市博浩通科技有限公司	HM1-6100A-8	HAR	23+		8890	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	HM1-6100A-8	HAR	24+	CDIP	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳市美思瑞电子科技有限公司	HM1-6100A-8	HAR	22+	CDIP	12245	现货,原厂原装假一罚十!	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	HM1-6100A-8	HAR	23+	CDIP	8000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	HM1-6100A-8	HAR	QQ咨询	CDIP	1109	全新原装研究所指定供货商	询价
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更多HM1607D供应商更新时间2025-5-28 19:07:00

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