1024 x 4 CMOS RAM

• This Circuit is Processed in Accordance to MIL-STD883 and is Fully Conformant Under the Provisions of Paragraph 1.2.1. • Low Power Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125W Max • Low Power Operation. . . . . . . . . . . . . . 35mW/MHz Max • Data Retention . . . . . . . . . . . . .

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RENESAS

瑞萨

1024 x 4 CMOS RAM

文件：193.57 Kbytes 页数：9 Pages

INTERSIL

DIP

DAITO大东/FANUC发那科

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SMD

pulse/普思

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SOP12

pulse/普思

上传：深圳市勤思达科技有限公司