256 x 4 CMOS RAM

Description The HM-6551 is a 256 x 4 static CMOS RAM fabricated using self-aligned silicon gate technology. Synchronous circuit design techniques are employed to achieve high performance and low power operation. Features • Low Power Standby . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50µW Max • Lo

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INTERSIL

256 x 4 CMOS RAM

Renesas

瑞萨

DIP

DAITO大东/FANUC发那科

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SMD

pulse/普思

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SOP12

pulse/普思

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