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IL440	文件：23.56 Kbytes Page：2 Pages	TRIACPREDRIVERNON-ZEROCROSSINGOPTOCOUPLER DESCRIPTION TheIL440consistsofaGaAsinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanartriacchipwithanon-zero crossingnetwork.Thetwosemiconductorsareassembledina6pindual-in-lineplasticpackage.Theoutputdetectoriscapableofblockingupto600voltswhichpermits	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
IL440	文件：96.72 Kbytes Page：5 Pages	Optocoupler,PgototriacOutput,LowInputCurrent DESCRIPTION TheIL440consistsofaGaAsinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanartriacchipwithanon-zero crossingnetwork.Thetwosemiconductorsareassembledina6pindual-in-lineplasticpackage.TheIL440canhandlecurrentsupto100mARMS. FEATURES •400V	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IL440	文件：108.52 Kbytes Page：6 Pages	Optocoupler,PhototriacOutput,LowInputCurrent	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF440	文件：211.25 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowBoston)athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolyslllcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvol	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF440	文件：150.37 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,8A,450V/500V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedsepeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF440	文件：142.75 Kbytes Page：7 Pages	TRANSISTORSN-CHANNEL(Vdss=500V,Rds(on)=0.85ohm,Id=8.0A) ProductSummary TheHEXFETtechnologyisthekeytoInternationalRectifier’sadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorrever	IRF International Rectifier	IRF
IRF440	文件：55.88 Kbytes Page：7 Pages	8A,500V,0.850Ohm,N-ChannelPowerMOSFET 8A,500V,0.850Ohm,N-ChannelPowerMOSFET ThisN-ChannelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorisanadvancedpowerMOSFETdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsare	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF440	文件：137.56 Kbytes Page：3 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowBoston)athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolyslllcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highvol	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF440	文件：146.27 Kbytes Page：7 Pages	RepetitiveAvalancheRatings	IRF International Rectifier	IRF
IRF440	文件：49.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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