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MAZ8100	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8100GHL	文件：687.23 Kbytes Page：8 Pages	MAZ8xxxGSeries	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8100GLL	文件：687.23 Kbytes Page：8 Pages	MAZ8xxxGSeries	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8100GML	文件：687.23 Kbytes Page：8 Pages	MAZ8xxxGSeries	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8100-H	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8100-L	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MAZ8100-M	文件：69.48 Kbytes Page：5 Pages	Siliconplanartype Siliconplanartype Forstabilizationofpowersupply ■Features •Extremelylownoisevoltagecausedfromthediode(2.4Vto39V,1/3to1/10ofourconventionalMAZ3000series) •Extremelygoodrisingperformance(inthelow-currentrange) •Easy-to-selecttheoptimumdiodebecause	PanasonicPanasonic Semiconductor 松下松下电器	Panasonic
MBR8100	文件：63.93 Kbytes Page：2 Pages	8.0ASCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features ●SchottkyBarrierChip ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●LowPowerLoss,HighEfficiency ●HighSurgeCapability ●HighCurrentCapabilityandLowForwardVoltageDrop ●ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtection	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBR8100	文件：82.12 Kbytes Page：2 Pages	WideTemperatureRangeandHighTjmSchottkyBarrierRectifiers FEATURES Metalofsiliconrectifier,majoritycarrierconducton Guardringfortransientprotection Lowpowerloss,highefficiency Highcurrentcapability,lowVF Highsurgecapacity Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewhelling,andpolarityprotectionapplica	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司	SIRECTIFIER
MBR8100	文件：200.58 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER VOLTAGERANGE:30-100VCURRENT:8.0A FEATURES ◇Highsurgecapacity. ◇Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolarityprotectionapplications. ◇Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction. ◇Highcurrentcapacity,lowforwardvoltagedrop. ◇Guard	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

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