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TCD2720BFG	文件：745.33 Kbytes Page：22 Pages	TOSHIBACCDLinearImageSensorCCD TheTCD2720BFGisahighsensitiveandlowdarkcurrent7500 elements3linesoutputCCDcolorlinearimagesensorwith7500 elements1lineoutputCCDB/Wlinearimagesensor. Thedevicecontainsarowof7500elements4linesphotodiodes whichprovide24lines/mmacrossaA3sizepaper.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TCRO2720	文件：536.14 Kbytes Page：4 Pages	SMDVOLTAGECONTROLLEDOSCILLATOR(12.7X12.7X6.0MM) FEATURES CERAMICCOAXIALRESONATOR,LOWPHASENOISE FREQUENCYRANGE:400~5000MHZ TWOSTANDARDPACKAGES/ROHSCOMPLIANT	Transko Transko Electronics, Inc.	Transko
TGA2720-SM	文件：1.33471 Mbytes Page：1 Pages	2.5GHz802.16eWiMaxAmplifier	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
UPA2720AGR	文件：274.85 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720AGRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofanotebook computerandLithium-Ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=14mΩMAX.(VGS=5.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2720GR	文件：309.52 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2720GRisN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=6.6mΩMAX.(VGS=10V,ID=7A) RDS(on)2=10mΩMAX.(VGS=4.5V,ID	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VDA2720CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2720NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VSMG2720	文件：138.83 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero DESCRIPTION VSMG2720isaninfrared,830nmemittingdiodeinGaAlAsdoublehetero(DH)technologywithhighradiantpowerandhighspeed,moldedinaPLCC-2packageforsurfacemounting(SMD).A19chipprovidesoutstandinglowforwardvoltageandradiantintensityevenat1Apulsecurrent. FE	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSMG2720	文件：144.54 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode,830nm,GaAlAsDoubleHetero	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSMG2720	文件：133.06 Kbytes Page：6 Pages	HighSpeedInfraredEmittingDiode	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
HLMP-2720
制造商：
Broadcom Limited
类别：
光电器件 > LED - 电路板指示器，阵列，发光条，条形图
系列：
HLMP-2720
包装：
散装
颜色：
黄色（x 4）
波长 - 峰值：
583nm
配置：
灯条 - 4 灯，宽，DIP
电流：
25mA
毫烛光等级：
20mcd
透镜样式：
矩形，带平顶
透镜尺寸：
8.89mm x 3.81mm
额定电压：
2.1V
安装类型：
通孔
描述：
LED LT BAR 8.89X3.81MM QUAD YLW

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