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NP80N03NDE

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

NP80N03NDE

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

FEATURES •ChannelTemperature175degreerated •SuperLowon-stateResistance RDS(on)1=7.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=40A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=5V,ID=40A) RDS(on)3=11mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=40A) •Lowinputcapacitance Ciss=2600pFTYP.

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供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SIERRA
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更多HLDD80N03供应商 更新时间2021-9-14 10:50:00