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HITK0204MP	文件：91.43 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel MOS FET Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 100 mΩ typ (VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A) • Low drive current • High speed switching • 2.5 V gate drive 文件：91.43 Kbytes 页数：7 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多HITJ0204MPTL-HQ供应商更新时间2025-10-5 15:14:00