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HIP6603CB	文件：84.68 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601andHIP6603arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopower N-ChannelMOSFETsinasynchronous-rectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP630xMulti-PhaseBuckPWMcontrollera	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6603CB	文件：241.64 Kbytes Page：8 Pages	Synchronous-RectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICPackage •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEfficiency •Three-StateInputfo	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6603ECB	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6603ECB	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HIP6603ECB-T	文件：516.46 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers TheHIP6601A,HIP6603AandHIP6604arehighfrequency,dualMOSFETdriversspecificallydesignedtodrivetwopowerN-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuckconvertertopology.ThesedriverscombinedwithaHIP63xxoranISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollerformacompletecore-voltage	Intersil Intersil Corporation	Intersil
HIP6603ECB-T	文件：489.12 Kbytes Page：11 Pages	SynchronousRectifiedBuckMOSFETDrivers Features •DrivesTwoN-ChannelMOSFETs •AdaptiveShoot-ThroughProtection •InternalBootstrapDevice •SupportsHighSwitchingFrequency -FastOutputRiseTime -PropagationDelay30ns •Small8LeadSOICandEPSOICand16LeadQFN Packages •DualGate-DriveVoltagesforOptimalEffic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IRF6603	文件：201.71 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6603combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofanSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutge	IRF International Rectifier	IRF
LDM6603LJ	文件：31.85 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICHALDATA	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER
LTC6603	文件：262.05 Kbytes Page：24 Pages	DualAdjustableLowpassFilter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC6603CUF-PBF	文件：262.05 Kbytes Page：24 Pages	DualAdjustableLowpassFilter	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER

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产品属性

产品编号：
HIP6603BCB-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
10.8V ~ 13.2V
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
20ns，20ns
工作温度：
0°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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