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KV2123

ENHANCEDPERFORMANCESURFACEMOUNTEPSMPACKAGEDDEVICES

DESCRIPTION OurEPSMpackageddevicesaredesignedforthemostdemandingcommercialandMilitaryrequirementswheretheinconsistentperformanceinherentinplasticsurfacemountpackagescannotbetolerated.Thesepackagestylesextendthesurfacemountconstructionformatto6GHzforhighper

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

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MicrosemiMicrosemi Corporation

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LTC2123

14-Bit,250Mspsto170MspsDualADCswithJESD204BOutputs

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

LTC2123

Dual14-Bit250MspsADCwithJESD204BSerialOutputs

LINERLinear Technology

凌力尔特凌特半导体

M2123JCFG

LEDTippedActuators

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司

M2123JCFW

LEDTippedActuators

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司

M2123JCG

LEDTippedActuators

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司

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LEDTippedActuators

NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司

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NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司

M2123JEW

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NKKNihon Kaiheiki Industry Co. Ltd.

恩楷楷恩楷楷(上海)开关有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    HIP2123FRTBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    1.4V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    9-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    9-TDFN(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9TDFN

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更多HIP2123FRTBZ-T供应商 更新时间2025-7-15 15:30:00