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LDEMD2120

PEN-PETH.T

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

LDEPD2120

PEN-PETH.T

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

LMH2120

LinearRMSpowerdetectorparticularlysuitedforaccurate

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMH2120

6GHzLinearRMSPowerDetectorwith40dBDynamicRange

TI1Texas Instruments

德州仪器

LMH2120UM/NOPB

6GHzLinearRMSPowerDetectorwith40dBDynamicRange

TI1Texas Instruments

德州仪器

LMH2120UMSLASHNOPB

6GHzLinearRMSPowerDetectorwith40dBDynamicRange

TI1Texas Instruments

德州仪器

LMH2120UMX/NOPB

6GHzLinearRMSPowerDetectorwith40dBDynamicRange

TI1Texas Instruments

德州仪器

LMH2120UMXSLASHNOPB

6GHzLinearRMSPowerDetectorwith40dBDynamicRange

TI1Texas Instruments

德州仪器

LWTN-2120

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

LWTN-2120/Q

PowerTransducerSeriesL-UNIT

MSYSTEMM-System Co.,Ltd.

爱模爱模系统有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    HIP2120FRTBZ-T

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    同步

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    8V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    3.7V,7.93V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    9-WDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    9-TDFN(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9TDFN

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更多HIP2120FRTBZ-T供应商 更新时间2025-5-11 10:00:00