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HIP2120FRTBZ-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：9-WDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9TDFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HM2120	文件：307.17 Kbytes Page：4 Pages	Applicationareas:atomizers,humidifiers,etc	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HPDV2120R	文件：274.26 Kbytes Page：4 Pages	50GHzHigh-PowerPhotodetector	Finisar Finisar Corporation.	Finisar
HY2120	文件：1.01106 Mbytes Page：22 Pages	2-CellLithium-ion/LithiumPolymer	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON
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HY2120-FB	文件：1.01106 Mbytes Page：22 Pages	2-CellLithium-ion/LithiumPolymer	HYCONHYCON inc 纮康科技纮康科技公司	HYCON

产品属性

产品编号：
HIP2120FRTBZ-T
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
8V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
3.7V，7.93V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
9-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
9-TDFN（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 9TDFN

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