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HIP2101IR4Z	文件：413.43 Kbytes Page：12 Pages	100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverIC.ItisequivalenttotheHIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOScompatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns.Thisgivesuserstota	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HIP2101IR4Z	文件：673.09 Kbytes Page：13 Pages	100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HIP2101IR4ZT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-VFDFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HIP2101IR4	文件：413.43 Kbytes Page：12 Pages	100V/2APeak,LowCost,HighFrequencyHalfBridgeDriver TheHIP2101isahighfrequency,100VHalfBridgeN-ChannelpowerMOSFETdriverIC.ItisequivalenttotheHIP2100withtheaddedadvantageoffullTTL/CMOScompatiblelogicinputpins.Thelow-sideandhigh-sidegatedriversareindependentlycontrolledandmatchedto13ns.Thisgivesuserstota	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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产品属性

产品编号：
HIP2101IR4Z
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
9V ~ 14V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
10ns，10ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
12-VFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
12-DFN（4x4）
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN

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