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HIP2101IR4ZT集成电路(IC)的栅极驱动器规格书PDF中文资料

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厂商型号

HIP2101IR4ZT

参数属性

HIP2101IR4ZT 封装/外壳为12-VFDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的栅极驱动器;产品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN

功能描述

100V/2A Peak, Low Cost, High Frequency Half Bridge Driver

封装外壳

12-VFDFN 裸露焊盘

文件大小

700.7 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

RENESAS

中文名称

瑞萨

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 23:00:00

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HIP2101IR4ZT规格书详情

• Drives N-Channel MOSFET Half Bridge

• SOIC, EPSOIC, QFN and DFN Package Options

• SOIC, EPSOIC and DFN Packages Compliant with 100V

Conductor Spacing Guidelines of IPC-2221

• Pb-free Product Available (RoHS Compliant)

• Bootstrap Supply Max Voltage to 114VDC

• On-Chip 1Ω Bootstrap Diode

• Fast Propagation Times for Multi-MHz Circuits

• Drives 1000pF Load with Rise and Fall Times Typ. 10ns

• TTL/CMOS Input Thresholds Increase Flexibility

• Independent Inputs for Non-Half Bridge Topologies

• No Start-Up Problems

• Outputs Unaffected by Supply Glitches, HS Ringing Below

Ground, or HS Slewing at High dv/dt

• Low Power Consumption

• Wide Supply Range

• Supply Undervoltage Protection

• 3Ω Output Driver Resistance

• QFN/DFN Package:

- Compliant to JEDEC PUB95 MO-220

QFN - Quad Flat No Leads - Package Outline

- Near Chip Scale Package footprint, which improves

PCB efficiency and has a thinner profile

产品属性

  • 产品编号:

    HIP2101IR4ZT

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 栅极驱动器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 驱动配置:

    半桥

  • 通道类型:

    独立式

  • 栅极类型:

    N 沟道 MOSFET

  • 电压 - 供电:

    9V ~ 14V

  • 逻辑电压 - VIL,VIH:

    0.8V,2.2V

  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):

    2A,2A

  • 输入类型:

    非反相

  • 上升/下降时间(典型值):

    10ns,10ns

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    12-VFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    12-DFN(4x4)

  • 描述:

    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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