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INA236BIDDFR	文件：1.95082 Mbytes Page：44 Pages	INA23648-V,16-Bit,Ultra-Precise,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features •High-sideorlow-sidecurrentsensing •Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply •Reportscurrent,voltageandpower •Programmablefullscalerange:20mV/80mV •Inputcommonmoderange:–0.3Vto48V •Currentmonitoringaccuracy: –16-bitADCresolution –0.1gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA236BIYBJR	文件：1.95082 Mbytes Page：44 Pages	INA23648-V,16-Bit,Ultra-Precise,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features •High-sideorlow-sidecurrentsensing •Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply •Reportscurrent,voltageandpower •Programmablefullscalerange:20mV/80mV •Inputcommonmoderange:–0.3Vto48V •Currentmonitoringaccuracy: –16-bitADCresolution –0.1gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA236BIYBJR	文件：1.95013 Mbytes Page：44 Pages	INA23648-V,16-Bit,Ultra-Precise,Current,Voltage,andPowerMonitorWithanI2CInterface 1Features •High-sideorlow-sidecurrentsensing •Operatesfroma1.7-Vto5.5-Vpowersupply •Reportscurrent,voltageandpower •Programmablefullscalerange:20mV/80mV •Inputcommonmoderange:–0.3Vto48V •Currentmonitoringaccuracy: –16-bitADCresolution –0.1gainerr	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IRF236	文件：69.14 Kbytes Page：7 Pages	8.1Aand6.5A,275Vand250V,0.45and0.68Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF236	文件：48.4 Kbytes Page：2 Pages	NanosecondSwitchingspeeds	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRK.236	文件：328.08 Kbytes Page：12 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES	IRF International Rectifier	IRF
IRK.236	文件：325.08 Kbytes Page：12 Pages	STANDARDRECOVERYDIODES Features ■HighVoltage ■ElectricallyIsolatedbyDBCCeramic(Al2O3) ■3500VRMSIsolatingVoltage ■IndustrialStandardPackage ■HighSurgeCapability ■GlassPassivatedChips ■ModulesusesHighVoltagePowerdiodesinfourBasicConfigurations ■SimpleMounting ■ULE78996approved	IRF International Rectifier	IRF
IRK236	文件：262.26 Kbytes Page：1 Pages	PowerModule230Amp	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
ISCNH236D	文件：309.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KEWTN-236	文件：130.75 Kbytes Page：4 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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详细参数

型号：
HIN236IB
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
RS232 5V 4D/3R 1UF CAPS 24SOIC IND - Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HIN236IB供应商更新时间2025-7-21 16:30:00

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