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HGTG10N120BND 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 ON/安森美
- 详细信息
- 规格书下载
产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
HGTG10N120BND
- 制造商:
onsemi
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.7V @ 15V,10A
- 开关能量:
850µJ(开),800µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
23ns/165ns
- 测试条件:
960V,10A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247-3
- 描述:
IGBT NPT 1200V 35A TO247-3
供应商
- 企业:
深圳市明盛嘉电子科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
房先生
- 手机:
18922809831
- 询价:
- 电话:
0755-82732827
- 地址:
深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋603
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