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HGT1S3N60A4DS_INTERSIL_IGBT 晶体管 TO-263宏捷佳二部

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1+	面议

厂家型号：
HGT1S3N60A4DS
产品分类：
芯片
生产厂商：
INTERSIL
库存数量：
12300
产品封装：
TO-263
生产批号：
25+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-28 9:15:00

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详细信息
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原厂料号：HGT1S3N60A4DS品牌：INTERSIL

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芯片型号：
HGT1S3N60A4DS
规格书：
下载
企业简称：
INTERSIL详情
厂商全称：
Intersil Corporation
内容页数：
10 页
文件大小：
130.32 kb
资料说明：
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

产品属性

类型
描述
型号：
HGT1S3N60A4DS
功能描述：
IGBT 晶体管 TO-263
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商

企业：
深圳市宏捷佳电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
许小姐
手机：
13717125871
询价：
电话：
0755-83201583/83214703
传真：
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