选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
INTERSILTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司10年
留言
|
FAIRCHISOT-263 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
FAIRCHILD/仙童SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司6年
留言
|
FAIRCHILDTO-263 |
800 |
05+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
INTERSILTO-263 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
INTERSILTO-263 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
|
INTERSILNA/ |
4800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-263-2 |
68900 |
INTERSIL |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司6年
留言
|
FAIRCHILD/仙童TO-263 |
47322 |
23+ |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
IntersilTO-263 |
8866 |
08+(pbfree) |
||||
|
深圳市仟禧电子有限公司2年
留言
|
FAIRCHILD/仙童SOT-263 |
20000 |
22+ |
保证原装正品,假一陪十 |
|||
|
深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
|
FAIRCHILDSOT-263 |
3629 |
22+ |
原装优势!房间现货!欢迎来电! |
|||
|
深圳市吉银科技有限公司1年
留言
|
FAIRCHILD/仙童 |
338 |
1535+ |
||||
|
深圳市星佑电子有限公司16年
留言
|
INTERSIL原厂原装 |
9070 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
FAIRCHISOT-263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Fairchild/ONTO263AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
INTERSIL |
35200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
INTERSILTO-263-2 |
8400 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
|
深圳诚思涵科技有限公司10年
留言
|
INTERSILTO-263-2 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
|
上海磐岳电子有限公司6年
留言
|
FAIRCHILDSOT-263 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
HGT1S3N60采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
HGT1S3N60图片
HGT1S3N60A4DS9A0中文资料Alldatasheet PDF
更多HGT1S3N60A4DS功能描述:IGBT 晶体管 TO-263 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGT1S3N60A4DS9A功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGT1S3N60A4S制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGT1S3N60A4S9A制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
HGT1S3N60B3DS制造商:Harris Corporation
HGT1S3N60B3S制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation
HGT1S3N60C3D制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGT1S3N60C3DS制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk