| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSCTO-263(D2PAK) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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onsemi/安森美TO-263 |
4500 |
新批次 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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RENESAS-瑞萨.TO-263-3 |
57500 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-263 |
1471 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO263 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
3477 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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onsemi(安森美)TO2633 |
6000 |
23+ |
诚信服务，绝对原装原盘 |
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深圳市蓝山航业科技有限公司9年
留言
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fsc |
500000 |
22+ |
行业低价,代理渠道 |
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深圳市冠亿通科技有限公司5年
留言
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ON/安森美 |
25000 |
21+ |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-263(D2PAK) |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市一线半导体有限公司15年
留言
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FAIRCHILDTO-263(D2PAK) |
8866 |
08+(pbfree) |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ON-安森美TO-263-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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HRISSTO-263-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市瑞卓芯科技有限公司10年
留言
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ON/安森美SMD |
9000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
留言
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安森美 |
12588 |
21+ |
原装现货,价格优势 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FSCTO-263(D2PAK) |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
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ON/安森美D2PAK-3 |
25500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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INTERSILTO-220 |
5000 |
23+ |
专注配单,只做原装进口现货 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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Fairchild/ONTO263AB |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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HGT1S12N60A4图片
HGT1S12N60A4DS价格
HGT1S12N60A4DS价格：￥15.6818品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的HGT1S12N60A4DS多少钱，想知道HGT1S12N60A4DS价格是多少？参考价：￥15.6818。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，HGT1S12N60A4DS批发价格及采购报价，HGT1S12N60A4DS销售排行榜及行情走势，HGT1S12N60A4DS报价。
HGT1S12N60A4S9A中文资料Alldatasheet PDF
更多HGT1S12N60A4DS功能描述:IGBT 晶体管 12A 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
HGT1S12N60A4DS9A制造商:INTERSIL 制造商全称:Intersil Corporation 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB
HGT1S12N60A4S制造商:Fairchild Semiconductor Corporation
HGT1S12N60A4S9A功能描述:IGBT 晶体管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
