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HGT1N30N60A4D	文件：144.1 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode The HGT1N30N60A4D is a MOS gated high voltage switching device combining the best features of a MOSFETs and a bipolar transistor. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only m 文件：144.1 Kbytes 页数：9 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
HGT1N30N60A4D	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HGT1N30N60A4D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-227-4，miniBLOC；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：IGBT MOD 600V 96A 255W SOT227B	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
HGT1S7N60C3DS90A	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-263	FCS 上传：深圳市盈利润达电子有限公司	FCS
HGTD1N120BNS9A	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ON/安森美上传：深圳市明嘉莱科技有限公司	ON/安森美

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更多HGT1N30N60A4供应商更新时间2025-11-17 16:03:00