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HGP019N04A	文件：1.25025 Mbytes Page：7 Pages	丝印：GB019N04A；Package：GP019N04A；40V N-Ch Power MOSFET Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I 文件：1.25025 Mbytes 页数：7 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK
HGP019N04A	文件：1.25025 Mbytes Page：7 Pages	丝印：GP019N04A；Package：TO-220；40V N-Ch Power MOSFET Feature ◇ High Speed Power Switching ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in Telecoms and I 文件：1.25025 Mbytes 页数：7 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK
BSC019N04LS	文件：1.46259 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V 文件：1.46259 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC019N04LST	文件：1.33809 Mbytes Page：13 Pages	OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V 文件：1.33809 Mbytes 页数：13 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BSC019N04NSG	文件：1.89577 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel 40-V (D-S) MOSFET 文件：1.89577 Mbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

更多HGP019N04A供应商更新时间2025-12-6 9:31:00