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HM740F	文件：316.57 Kbytes Page：8 Pages	400VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
I740	文件：1.67134 Mbytes Page：12 Pages	10A400VN-channelEnhancementModePowerMOSFET	WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd 东海半导体江苏东海半导体股份有限公司	WXDH
INA740A	文件：1.4142 Mbytes Page：41 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740A	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740B	文件：1.4142 Mbytes Page：41 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740B	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740BIREMR	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740X	文件：1.4142 Mbytes Page：41 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Widecommon-moderange:–0.1Vto+85V •High-resolution,16-bitdelta-sigmaADC •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrad	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA740X	文件：2.37007 Mbytes Page：50 Pages	INA740x85V,16-Bit,PrecisionI2COutputDigitalPowerMonitorwithEZShunt™Technology 1Features •Lowlossintegratedshuntresistor –Internalresistance:800μΩ,TA=25°C –Continuouscurrent:±35A,TA=25°C –Peakmeasurementcapability:±39.32A •Currentmonitoringaccuracy:A/BGrade, maximum –Offsetcurrent:±6.25mA/±62.5mA –Offsetdrift:±30μA/°C(AandB	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IQXO-740	文件：155.15 Kbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD

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详细参数

型号：
HFCN-740
制造商：
MINI
制造商全称：
Mini-Circuits
功能描述：
Ceramic High Pass Filter 900 to 2800 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科恒伟业电子有限公司	HFCN-740	Mini-Circuits	2450+	SMD	8850	只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!	询价
深圳市益中天科技发展有限公司	HFCN-740	Mini-circuits	18+	原厂原装	6000	专注Mini射频微波全系列,只做原装正品,现货库存	询价
深圳市卓越微芯电子有限公司	HFCN-740		2020+		5000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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更多HFCN-740供应商更新时间2025-7-23 11:30:00

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