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LV5803M	文件：119.82 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
LV5803M-TE-L-E	文件：119.82 Kbytes Page：6 Pages	Step-downSwitchingRegulator	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
MAX5803	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5803ATB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MAX5803AUB	文件：3.29091 Mbytes Page：31 Pages	Ultra-Small,Single-Channel,8-/10-/12-BitBufferedOutputVoltageDACswithInternalReferenceandI2CInterface GeneralDescription TheMAX5803/MAX5804/MAX5805single-channel,low-power,8-/10-/12-bit,voltage-outputthisisanadditiontocontentdigital-to-analogconverters(DACs)includeoutputbuffersandaninternalreferencethatisselectabletobe2.048V,2.500V,or4.096V.TheMAX5803/MAX5804/MAX5	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半导体	Maxim
MCH5803	文件：48.34 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications MOSFET:N-ChannelSiliconMOSFET SBD:SchottkyBarrierDiode Features •CompositetypewithanN-ChannelSilliconMOSFET(MCH3408)andaSchottkyBarrierDiode(SBS006M)containedinonepackagefacilitatinghigh-densitymounting. [MOSFET] •LowON-resistance. •Ultrahigh-speedswi	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
NTD5803N	文件：299.49 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=76A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=40V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=7mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD5803N	文件：111.2 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET40V,76A,SingleN?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTE5803	文件：59.17 Kbytes Page：3 Pages	NTE5800thruNTE5809AxialLeadStandardRecoverySiliconRectifiers,3Amp,DO27 Description: TheNTE5800throughNTE5809siliconrectifiersaredesignedforuseinpowersuppliesandotherapplicationshavingneedofadevicewiththefollowingfeatures: ●HighCurrenttoSmallSize ●HighSurgeCurrentCapability ●LowForwardVoltageDrop	NTE NTE Electronics	NTE

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