HFA3127BZ96_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-瑞萨

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2500+	¥79.24701

厂家型号：
HFA3127BZ96
制造商：
RENESAS/瑞萨
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
包装：
托盘
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-9-20 15:20:00

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原厂料号：HFA3127BZ96品牌：Renesas Electronics America Inc

资料说明：RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

HFA3127BZ96是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商RENESAS/瑞萨生产封装16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）的HFA3127BZ96晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
hfa3127bz96
规格书：
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企业简称：
RENESAS【瑞萨】详情
厂商全称：
Renesas Technology Corp
中文名称：
瑞萨科技有限公司
资料说明：
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

产品属性

类型
描述
产品编号：
HFA3127BZ96
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
5 NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16SOIC

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