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MBR3060	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR3060	文件：540.47 Kbytes Page：3 Pages	30AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton •Guardringfortransientprotection •Lowpowerlosshighefficiency •Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	GXELECTRONICSShandong Xinghe Minghui Electronics Co., Ltd 星合电子山东星合明辉电子有限公司	GXELECTRONICS
MBR3060	文件：158.03 Kbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifier FEATURES •Dualdiodeconstruction;terminals1and3maybeconnectedforparalleloperationatfullrating •Lowforwardvoltage •Guardingforstressprotection •150℃operatingjunctiontemperature •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperfor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MBR3060	文件：2.37709 Mbytes Page：2 Pages	SchottkyBarrierRectifiers	JUXINGGuangdong Juxing Electronics Technology Co., Ltd. 广东钜兴电子广东钜兴电子科技有限公司	JUXING
MBR3060	文件：154.2 Kbytes Page：5 Pages	AxialLeadRectifier AxialLeadRectifier ...employingtheSchottkyBarrierprincipleinalargeareametal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlapcontact.Ideallysuitedforuseasrectifiersinlow−voltage,high−frequencyinv	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBR3060AB	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR3060ABR	文件：383.54 Kbytes Page：9 Pages	SCHOTTKYBARRIERDIODE	JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD. 华微电子吉林华微电子股份有限公司	JSMC
MBR3060BCT	文件：1.6143 Mbytes Page：3 Pages	30ASurfaceMountHighPowerSchottkyBarrierRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
MBR3060C	文件：362.14 Kbytes Page：5 Pages	SCHOTTKYBARRIERRECTIFIER	RECTRON Rectron Semiconductor	RECTRON
MBR3060CG	文件：455.61 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifier	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

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