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IRF840	文件：206.7 Kbytes Page：2 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFN-CHANNELPOWERMOSFET Description Designedtowithstandhighenergyintheavalanchemodeandswitchefficiently.Alsoofferadrain-to-sourcediodewithfastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedapplicationssuchaspowersupplies,PWMmotorcontrolsandotherinductiveloads,theavalancheenergycap	DCCOM Dc Components	DCCOM
IRF840	文件：132.59 Kbytes Page：5 Pages	POWERMOSFET GENERALDESCRIPTION ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage-blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Inaddition,thisadvancedMOSFETisdesignedtowithstandhighenergyinavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyeffic	SUNTAC Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
IRF840	文件：118.66 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMosfetTransistor Designedforhighvoltage,highspeedswitchingpowerapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelay FEATURES 1.DrainCurrent–ID=8.0A@TC=25℃ 2.DrainSourceVoltage-:VDSS=500V(Min) 3.StaticDrain-SourceOn-Resistance:RDS(on)=0.8	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF840	文件：135.24 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF840	文件：334.39 Kbytes Page：9 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IRF840	文件：96.38 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheTO-220andpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplications.Thedeviceissuitedforswitchmodepowersupplies,DC-AC convertersandhighcurrenthighspeedswitchingcircuits.APECMOSFETprovidethepowerdesignerwiththebestcombinationoffasts	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先进电子富鼎先进电子股份有限公司	A-POWER
IRF840	文件：436.08 Kbytes Page：17 Pages	A0.9-AConstantCurrentSupplywithPFCfor100-WLED	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
IRF840	文件：337.85 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelPowerMOSFET DESCRIPTION TheNellIRF840areN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.Theyaredesigned,testedandguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation. Theyaredesignedasanextremelyefficientandreliabledevice	NELLSEMINell Semiconductor Co., Ltd 尼尔半导体尼尔半导体股份有限公司	NELLSEMI
IRF840	文件：2.66616 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF840	文件：271.96 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighvoltage,highspeedapplications,suchasoff-lineswitchingpowersupplies,UPS,ACandDCmotorcontrols,relayandsolenoiddrivers. ●VGSRatedat±20V ●SiliconGateforFastSwitchingSpe	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP

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